Брзи прекидач тиристор

Опис:

Брзи преклопни тиристор, са истом структуром и симболом тиристора за контролу фазе, док су боље статичке карактеристике, посебно динамичке карактеристике, потребне високофреквентном применом исправљача, сецкања, претварача и кола за конверзију фреквенције.Динамички параметри брзог тиристора су велика брзина укључивања и брзина експанзије укључивања, мање повратног пуњења и кратко време искључивања, висока критична стопа пораста струје укљученог стања (ди/дт) и критична брзина пораст напона ван стања (дв/дт).Називна струја брзог тиристора у оквиру називне фреквенције се не смањује или мало смањује када се фреквенција повећава.

Стандард за производњу тиристора са брзим прекидачем и технологија обраде РУНАУ Елецтроницс-а уведен је из САД од 1980-их, као пионир производње тиристора у Кини, технички тим РУНАУ-а је стекао врхунско знање и богато искуство у производњи више од 30 година.На основу традиционалног производног процеса, талентовани техничари РУНАУ Елецтроницс-а развили су врхунску технологију у производњи тиристора са предностима европских производа, квалитет и перформансе су значајно побољшани, постигнуто је више великих победа у апликацијама енергетске електронике, и створена је већа вредност за партнере.

Увод:

1. Чип

Тиристорски чип произведен од стране РУНАУ Елецтроницс је примењена технологија синтероване легуре.Силицијумска и молибденска плочица је синтерована за легирање чистим алуминијумом (99,999%) у окружењу високог вакуума и високе температуре.Администрација карактеристика синтеровања је кључни фактор који утиче на квалитет тиристора.Знање РУНАУ Елецтроницс-а поред управљања дубином споја легуре, равношћу површине, шупљином од легуре као и вештином пуне дифузије, кружним узорком, специјалном структуром капије.Такође је коришћена специјална обрада да би се смањио животни век носиоца уређаја, тако да је интерна брзина рекомбинације носача у великој мери убрзана, реверзно пуњење уређаја је смањено, а брзина пребацивања је побољшана последично.Оваква мерења су примењена да би се оптимизовале карактеристике брзог пребацивања, карактеристике укљученог стања и својства пренапонске струје.Перформансе и проводљивост тиристора су поуздане и ефикасне.

2. Енкапсулација

Строгом контролом равности и паралелизма молибденске плочице и екстерног паковања, чип и молибденска плочица ће бити чврсто и потпуно интегрисани са спољним пакетом.Ово ће оптимизовати отпор пренапонске струје и високе струје кратког споја.А мерење технологије испаравања електрона је коришћено за стварање дебелог алуминијумског филма на површини силицијумске плочице, а слој рутенијума на површини молибдена ће значајно повећати отпорност на топлотни замор, а радни век тиристора брзог прекидача ће се значајно повећати.

Техничка спецификација

1. Тиристор са брзим прекидачем са чипом од легуре произвођача РУНАУ Елецтроницс, опсег И_ТАВод 200А до 4000А и В_ДРМ/V_РРМод 1200В до 4500В.
2. I_GT, В_GTи ја_Hсу тест вредности на 25℃, осим ако није другачије наведено, сви остали параметри су тест вредности под Т_jm;
3. I²т=И²Ф СМ×тв/2, тв= ширина базе синусоидалне полуталасне струје.На 50 Хз, И²т=0,005И²ФСМ(А²С);
4. На 60Хз: И_ФСМ(8.3мс)=И_ФСМ(10мс)×1.066,Т_j=T_j;И²т(8.3мс)=И²т(10мс)×0,943,Т_j=T_jm

Параметар: