Високофреквентни тиристор
Високофреквентни тиристор
Опис:
1. ИGT, ВGTи јаHсу тестне вредности на 25℃, уако није другачије наведено, сви остали параметри су тестне вредности под Тjm;
2.И2т=И2ФСМ×тв/2, тв= ширина базе синусоидалне полуталасне струје.На 50 Хз, И2т=0,005И2ФСМ(A2С);
3.На 60Хз: ИФСМ(8.3мс)=ИФСМ(10мс)×1.066,Тj=Tj;I2т(8.3мс)=И2т(10мс)×0,943,Тj=Tjm.
Параметар:
| ТИП | IТ(АВ) A | TC ℃ | VДРМ/VРРМ V | IТСМ @TВЈИМ&10мс A | I2t A2s | VTM @IT&ТJ=25℃ В / А | tq μs | Tjm ℃ | Rjc ℃/В | Rцс ℃/В | F KN | m Kg | КОД | |
| Напон до 1200В | ||||||||||||||
| КА200-** | 200 | 55 | 800~1200 | 2800 | 3.9к104 | 3.20 | 640 | 15 | 125 | 0,060 | 0,010 | 10 | 0.08 | Т2А |
| КА500-** | 500 | 55 | 800~1200 | 7500 | 2.8к105 | 3.20 | 1570. године | 15 | 125 | 0,039 | 0,008 | 15 | 0.26 | Т5Ц |
| КА1000-** | 1000 | 55 | 800~1200 | 15000 | 1.1к106 | 3.20 | 3000 | 15 | 125 | 0,022 | 0,005 | 25 | 0.46 | Т8Ц |
Напишите своју поруку овде и пошаљите нам је