Нова платформа за симулацију дизајна енергетског полупроводничког уређаја недавно је успостављена у Рунауу.Уз помоћ напредне платформе за симулацију и комбинованог теста и анализе, дубинско истраживање структуре уређаја и сродне основне теорије је успешно спроведено.Користећи најсавременију теорију и истраживачку платформу, компанија је развила и савладала кључну технологију обраде 5” тиристорског чипа, ГТО и ИГЦТ.Потпуна процесна способност производње тиристора, исправљачке диоде, шотки модула, ИГЦТ, ИГБТ, високонапонских и високострујних тиристора, као и за изградњу пилот платформе за тестирање ултра-брзих диода за опоравак, све су биле успешно доступне у Рунауу.Још један солидан корак ка изградњи производне базе уређаја енергетске електронике у Кини, ми смо на путу.