Тиристор за контролу фазе (врста легуре)

Опис:

Тиристор, такође познат као силицијумски контролни исправљач (СЦР), је полупроводнички уређај велике снаге који се састоји од три ПН структуре.У погледу перформанси, тиристор не само да има једносмерну проводљивост, већ има и вреднију управљивост од силицијумског исправљачког елемента, који има само два стања проводљивости и искључено стање, за контролу велике снаге са малом снагом, појачање снаге до стотине или хиљадама пута.Реакција је веома брза, укључује се и искључује у микросекундама.Безконтактни рад, без варница, без буке, уз високу ефикасност и ниску цену.Због тога, посебно у систему високог напајања, тиристор се широко користи у кругу исправљача, статичког бајпаса, безконтактног излазног прекидача и других кола.

Стандард производње тиристора и технологија обраде РУНАУ Елецтроницс-а уведен је из САД од 1980-их, као пионир производње тиристора у Кини, технички тим РУНАУ-а је стекао врхунско знање и богато искуство у производњи више од 30 година.На основу традиционалног производног процеса, талентовани техничари РУНАУ Елецтроницс-а развили су врхунску технологију у производњи тиристора са предностима европских производа, квалитет и перформансе су знатно побољшани, постигнуто је више великих победа у примени енергетске електронике поља, а створена је већа вредност за партнере.

Увод:

1. Чип

Тиристорски чип произведен од стране РУНАУ Елецтроницс је примењена технологија синтероване легуре.Силицијумска и молибденска плочица је синтерована за легирање чистим алуминијумом (99,999%) у окружењу високог вакуума и високе температуре.Администрација карактеристика синтеровања је кључни фактор који утиче на квалитет тиристора.Знање РУНАУ Елецтроницс-а, поред управљања дубином споја легуре, равности површине, шупљине легуре, као и вештине пуне дифузије, централне капије, прстенастог круга, примењено је како би се омогућио поуздан и високо ефикасан проводни рад тиристора, како би се обезбедити висок квалитет перформанси.

2. Енкапсулација

Строгом контролом равности и паралелизма молибденске плочице и екстерног паковања, чип и молибденска плочица ће бити чврсто и потпуно интегрисани са спољним пакетом.Ово ће оптимизовати отпор пренапонске струје и високе струје кратког споја.А мерење технологије испаравања електрона је коришћено за стварање дебелог алуминијумског филма на површини силицијумске плочице, а слој рутенијума на површини молибдена ће значајно повећати отпорност на топлотни замор, а радни век тиристора ће се значајно повећати.

Техничка спецификација

1. Фазно контролисани тиристор са чипом од легуре произвођача РУНАУ Елецтроницс, опсег И_ТАВод 300А до 6000А и В_ДРМ/V_РРМод 800В до 4400В.
2. I_GT, В_GTи ја_Hсу тест вредности на 25℃, осим ако није другачије наведено, сви остали параметри су тест вредности под Т_jm;
3. I²т=И²Ф СМ×тв/2, тв= ширина базе синусоидалне полуталасне струје.На 50 Хз, И²т=0,005И²ФСМ(А²С);
4. На 60Хз: И_ФСМ(8.3мс)=И_ФСМ(10мс)×1.066,Т_j=T_j;И²т(8.3мс)=И²т(10мс)×0,943,Т_j=T_jm

Параметар: